Structural and optical properties of bulk and quantum well gaas1-xbix semiconductors
[ X ]
Tarih
2017
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Adana Alparslan Türkeş Bilim ve Teknoloji Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Günümüz optoelektronik aygıtların ve cep telefonu sistemleri gibi kablosuz haberleşmenin temelini III-V grubu bileşik yarıiletken malzemeler oluşturmaktadır. Bu malzemelerin bant enerji değerleri, optik fiberler için uygun olan düşük dağılımlı ve düşük düşük kayıp seviyesindedir. Optik fiberler, 850 nm, 1310 nm and 1550 nm dalga boylarında minimum kayba sahiptirler. Bu sebeple, uzun mesafeli iletişimlerde, ~ 100 km'lik maksimum iletim uzunluğuna sahip olması nedeniyle 1550 nm kullanılırken, kısa mesafeli veri iletişimi için 1310 nm tercih edilir. Proje kapsamında, Moleküler Beam Epitaxy ile GaAs alttaş üzerine farklı yönelimlerde büyütülmüş, Bi içeren kristal malzemelerin yapısal ve optik özellikleri incelenmiştir. Proje kapsamında, yürütülen deneylerde, araştırılan malzeme sistemleri epilayer numunelerde, Bix (0
The basis of wireless communications such as today's optoelectronic devices and mobile phone systems is the group III-V compound semiconducting materials. These materials can be used for optical fibers due to their band gap energies in the low dispersion and low optical loss window. The optical fibers have minimal loss in the wavelengths of 850 nm, 1310 nm and 1550 nm. For this reason, for long haul communications, 1550 nm window is used due to maximum transmission length of ~100 km while 1310 nm is preferred for short distance data communications (Mokkapati and Jagadish, 2009). In this thesis, structural and optical properties of Bi-containing crystal materials grown on GaAs substrate on various orientations by Molecular Beam Epitaxy (MBE) have been investigated. The samples that were grown as epilayer has Bix (0
The basis of wireless communications such as today's optoelectronic devices and mobile phone systems is the group III-V compound semiconducting materials. These materials can be used for optical fibers due to their band gap energies in the low dispersion and low optical loss window. The optical fibers have minimal loss in the wavelengths of 850 nm, 1310 nm and 1550 nm. For this reason, for long haul communications, 1550 nm window is used due to maximum transmission length of ~100 km while 1310 nm is preferred for short distance data communications (Mokkapati and Jagadish, 2009). In this thesis, structural and optical properties of Bi-containing crystal materials grown on GaAs substrate on various orientations by Molecular Beam Epitaxy (MBE) have been investigated. The samples that were grown as epilayer has Bix (0
Açıklama
Fen Bilimleri Enstitüsü, Nanoteknoloji ve Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı
Anahtar Kelimeler
Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
